Welke communicatiemerken gebruiken veel hoog - einddioden in hun apparaten?

一, technologische doorbraken van internationale communicatiemerken
1. Huawei: Revolutie van siliciumcarbide -diodes in 5G -basisstations
Huawei heeft traditionele silicium - gebaseerde apparaten vervangen door siliciumcarbide (sic) Schottky -diodes in zijn massieve MIMO -antenne -ontwerp, waardoor een significante toename van de efficiëntie van de vermogenssynthese wordt bereikt. Een bepaald model van het basisstation verhoogt bijvoorbeeld het uitgangsvermogen van één kanaal van 40 W tot 64 W door het matchen van SIC Ultraskasthersteldiode (UFRD), en de systeemefficiëntie bereikt 48%, wat 6 procentpunten hoger is dan de traditionele oplossing. Deze doorbraak wordt toegeschreven aan de brede bandgap -eigenschappen van SiC -materialen, die een afbraak van elektrische veldsterkte 10 keer die van silicium hebben, een vermindering van 70% in de weerstand en een significante vermindering van de schakelverliezen en thermische dissipatie.
In de stroommodule van het basisstation neemt Huawei een samenwerkingsontwerp van GAN HEMT en SIC -diode aan, waardoor de efficiëntie van de 48V -communicatievoorziening meer dan 96%kan overschrijden. Door de omgekeerde herstelkarakteristieken van de diode te optimaliseren (QRR verlaagd van 50NC tot 5NC), gecombineerd met microkanaalkoeltechnologie, bereikt de apparaatdichtheid 1 kW/L en de diode junctietemperatuur blijft stabiel onder 85 graden, onder 85 graden, onder 85 graden, onder 85 graden, onder 85 graden, onder 85 graden, onder 85 graden, onder 85 graden, onder 85 graden, blijft onder 85 graden stabiel onder 85 graden, onder 85 graden, onder 85 graden, onder 85 graden, onder de 85 graden, onder 85 graden, onder de 85 graden, onder 85 graden, onder de 85 graden, onder de 85 graden, onder de 85 graden, onder 85 graden, blijft onder 85 graden stabiel onder 85 graden en blijft de hoge -} -dichtheidsinvoervereisten van 5G -basisstations.
2. Ericsson: Integratie van hoge - frequentiedioden in rf front - einde
Ericsson past op grote schaal Super Junction Technology -diodes toe in RF Front - eindmodules, het bereiken van elektrische veldhomogenisatie door afwisselend P/N -kolommen te rangschikken, waardoor de geleidingsspanningsval (VF) van 600V SIC Schottky -dioden van 1,7V tot 1,1V wordt verminderd. In millimeter wave communication (24-100GHz) scenarios, its self-developed Trench MOSFET structure diode reduces the conduction resistance to 0.5m Ω· cm ² and shortens the reverse recovery time to 5ns, meeting the high-speed switching requirements of 5G NR (New Radio) for RF signals.
Bovendien gebruikt Ericsson PIN -diodes met bundel loodverpakkingen in satellietcommunicatieapparatuur om een ​​responssnelheid van 0,5 N -niveau te bereiken voor de schakelcircuits van antenne. Dit apparaat vermindert de signaaloverschietspanning van 5V tot 0,5 V door de ingekapselde inductie te elimineren (LPAR<0.5nH), significantly improving system stability.
3. Nokia: innovatieve fotodiodes in optische transmissiemodules
Nokia gebruikt de Sako Micro SL9302 Silicon Pin Photodiode in zijn 400 g/800 g optische transmissiemodule om een ​​doorbraak in optische signaalreceptie -gevoeligheid te bereiken. Dit apparaat verbetert de responsiviteit op 0,9a/w (@ 1550nm) en reduceert de donkere stroom tot 0,1NA door de dikte van de I - laag te optimaliseren, ter ondersteuning van relaisvrije transmissie over 100 km. In coherente optische communicatiesystemen bereikt de 3DB -bandbreedte van SL9302 30 GH
2, Binnenlandse substitutiepraktijk van binnenlandse communicatiemerken
1. ZTE: synchrone rectificatietechnologie in optische modules
ZTE Corporation heeft traditionele diodes vervangen door in het binnenland geproduceerd n - type mosfets in zijn 5G front - End optische modules, waardoor een sprong in synchrone rectificatie -efficiëntie wordt bereikt. De 25G -optische module past bijvoorbeeld de MOSFET -geleidingshoek dynamisch aan, waardoor de vermogensconversie -efficiëntie wordt verhoogd van 85% tot 94% en tot 1,2 miljoen kWh elektriciteit per module per jaar bespaart. Deze technologie vermindert het stroomverbruik met 60% door de vaste spanningsval (VF ≈ 0,7V) van de diode te elimineren, terwijl ook de moeilijkheid van het thermische ontwerp wordt verminderd.
Op het gebied van basisstationvoeding heeft ZTE samengewerkt met Suzhou Gude om SIC SBD -gelijkrichter -diodes te ontwikkelen, die de voorwaartse spanningsdaling verminderen (VF =0.3 V) met 80% vergeleken met traditionele snelle hersteldiodes en de reverse hersteltijd (trr =10 ns) door 70%. Het apparaat blijft stabiel binnen het temperatuurbereik van -40 graden tot +125 diploma en voldoet aan de stringente betrouwbaarheidsnormen van communicatieapparatuur.
2. Fiberhome Communication: TVS diode bescherming in datacenters
Fiberhome Communications maakt gebruik van littelfuse unidirectionele tv's diodes (zoals SMAJ5.0A) in zijn datacenter schakelt over om elektrostatische bescherming te bereiken voor 10/1000Base - t Ethernet -poorten. Door de PN-junctiestructuur te optimaliseren, wordt de responstijd van dit apparaat ingekort tot 1PS, wordt de klemspanningsnauwkeurigheid geregeld bij ± 5%en kan deze 30 kV luchtafvoer en 15KV-contactafvoer weerstaan, die voldoet aan de IEC 61000-4-5-standaard.
In de optische module van 400G datacenter werkte Fiberhome samen met Vishay samen om een ​​lage parasitaire capaciteitstv -diode (CJ =0.5 PF) te ontwikkelen, die de signaalverzwakking vermindert tot minder dan 0,1DB en ondersteunt verliesloze transmissie van PAM4 -signalen. Dit apparaat vermindert de bezetting van de PCB -ruimtes met 60% door de verpakking van Surface Mount (SMD) aan te nemen, die voldoet aan de hoge - dichtheidsimplementatievereisten van datacenters.
3. Jingxin -communicatie: selectie van hoge - frequentiedioden in kleine basisstations
Jingxin -communicatie maakt veel gebruik van hoge - frequentiedioden zoals 1N4148 en SS14 om signaaldetectie en rectificatie in de 5G kleine basisstations te bereiken. 1N4148 bereikt bijvoorbeeld -40dbm gevoeligheidsdetectie in de 2,4 GHz Wi Fi 6e frequentieband met zijn 8ns omgekeerde hersteltijd en 4pf junctie capaciteit; De SS14 Schottky -diode heeft een voorwaartse spanningsval van 0,3 V en een omgekeerde spanningsval van 40V, die voldoet aan de lage spanning en hoge stroom voeding van kleine basisstations.
In millimetergolf kleine basisstations heeft Jingxin BAP64-03 RF-diodes geïntroduceerd. Door de dikte van de epitaxiale laag te optimaliseren, wordt het invoegverlies van 10 GBPS -signalen geregeld binnen 0,5 dB en wordt de fasegerruis gereduceerd tot -160dbc/Hz, waardoor voldoet aan de strikte vereisten van 5G NR voor RF -prestaties.