NPN -transistors 2SC2412
NPN -transistoren 2SC2412 zijn categorieën op basis van de gelaagdheid van de semi -geleidende materialen. NPN -transistoren bevatten negatieve, positieve en negatieve lagen terwijl PNP -transistoren positieve, negatieve en positieve lagen bevatten. Maar het doel van de transistor (een elektrische schakelaar of versterker) is in wezen hetzelfde.
Beschrijving
Professioneel technisch team
Het topmanagement van ons bedrijf heeft twee professoren van de elektrische Universiteit van Zhejiang University, en we hebben verschillende ruimtevaart- en militair projectniveau -stroomvoorzieningsonderzoek in dienst en specialisten ontwikkeld in 2011, en we hebben het TRR Micro Power Supply Research Institute gevonden, we zijn professioneel ontwerpen en wijzigen het productieproductschema voor klanten, het besparen van de kosten en het verbeteren van de energie -efficiëntie en het vervangen van energie -efficiëntie, of vervanging van de energie -efficiëntie, of de ontbrekende IC.
Rijke ervaring
TRR -aandelen hebben veelzijdige gebieden kerntechnologieën in wafer, pakket, apparaattest en applicatie -ontwerp, enz. We wijden ons in onderzoek, productie, verkoop- en applicatieschema ontwerp in nieuwe type componenten, al verkregen meer dan 80 nationale geautoriseerde invent -octrooien, omvatten de algemene MB10F -brug in de stroomvoorzieningsindustrie, LED -industrie gebruikte UMB10F / B7 Bridge, de Globe High Junction -temperatuurproducten.
Breed productbereik
Our company focus on that provide the industry commonly used and customized products and service according to requirements for the users, the products widely applied in many areas such as power supply and adapters (customer: SUNGROW power supply), green lighting (customers: MLS, TOSPO lighting), router (customer: Huawei), smart phone (customers: Huawei, Xiaomi, OPPO) and communication products, automobile electrics (customer: SAIC General Motoren), frequentietransformator, grote en kleine huishoudelijke elektrische apparaten (klant: Gree), Safety Guard Area (Hikvision, Dahua) en andere gebieden.
NPN -transistoren 2SC2412 zijn categorieën op basis van de gelaagdheid van de semi -geleidende materialen. NPN -transistoren bevatten negatieve, positieve en negatieve lagen terwijl PNP -transistoren positieve, negatieve en positieve lagen bevatten. Maar het doel van de transistor (een elektrische schakelaar of versterker) is in wezen hetzelfde.
De transistor 2SA733 is een krachtige, stabiele en lage verzadigingsspanning halfgeleiderapparaat gemaakt van epitaxiaal NNP-jet-siliciummateriaal, dat een breed scala aan toepassingen heeft. Dit product is op grote schaal gebruikt op verschillende gebieden, zoals automatische besturingssystemen, versterkingscircuits, schakelcircuits, energiebeheer en communicatie -elektronica.
Oppervlakte -montage siliciumgelijkrichter 2a1
Oppervlakte Mont siliciumgelijkrichter 2A1, als een elektronische component, heeft de voordelen van klein formaat, lichtgewicht, ruimtebesparing, goede elektrische prestaties, hoog vermogen, hoge stabiliteit en lange levensduur en kan op grote schaal worden gebruikt op verschillende gebieden.
TO-126 Plastic-inkapselen transistors 13003
TO-126 Plastic Encapsule Transistors 13003 is een NPN-transistor die vaak wordt gebruikt in elektronische circuits. Het kan worden gebruikt in verschillende circuits en heeft een hoge stroomversterking en schakeleffecten. Geschikt voor verschillende huishoudelijke apparaten, elektronische instrumenten, elektronische producten, auto -elektronica, computerrandapparatuur, enz.
Voordelen van NPN -transistors 2SC2412
Een NPN -transistors 2SC2412 is een type bipolaire junctie transistor (BJT). Het bestaat uit een laag P-type halfgeleidermateriaal ingeklemd tussen twee lagen van het N-type halfgeleidermateriaal. De twee n-type lagen fungeren als de emitter en verzamelaar, en de p-type laag fungeert als basis. De transistor wordt NPN genoemd omdat de meeste dragers in de emitter- en verzamelgebieden elektronen zijn, die negatief zijn geladen.
De voordelen van NPN -transistoren 2SC2412 worden hieronder weergegeven:
· Hoge versterking en hoge invoerimpedantie
· Laag geluid
· Snelle schakelsnelheid
· Lage kosten
· Gemakkelijke beschikbaarheid
Een NPN -transistors 2SC2412 -configuratie
De constructie- en terminalspanningen voor een NPN -transistors 2SC2412 worden hierboven weergegeven. De spanning tussen de basis en de emitter (VBE), is positief aan de basis en negatief aan de emitter omdat voor een NPN -transistor de basisterminal altijd positief is met betrekking tot de emitter. De voedingsspanning van de collector moet ook positiever zijn met betrekking tot de emitter (VCE).
Daarom moet de collector, om een bipolaire NPN -transistor correct te laten uitvoeren, altijd positiever met betrekking tot zowel de basis als de emitterterminals.
Vervolgens zijn de spanningsbronnen verbonden met een NPN -transistor zoals getoond. De collector is verbonden met de voedingsspanning VCC via de belastingweerstand, RL die ook werkt om de maximale stroom te beperken die door het apparaat stroomt.
De basisvoorraadspanning VB is verbonden met de basisweerstand RB, die opnieuw wordt gebruikt om de maximale basisstroom te beperken.
Dus in een NPN -transistors 2SC2412 is het de beweging van negatieve stroomdragers (elektronen) door het basisgebied dat transistoractie vormt, omdat deze mobiele elektronen het verband bieden tussen de collector- en emittercircuits. Dit verband tussen de input- en uitvoercircuits is het belangrijkste kenmerk van transistoractie omdat de transistoren versterkingseigenschappen komen van de daaruit voortvloeiende controle die de basis uitoefent op de collector om stroom te stoten.
Vervolgens kunnen we zien dat de transistor een actueel bedieningsapparaat (Beta-model) is en dat een grote stroom (IC) vrij door het apparaat tussen de collector en de emitterterminals stroomt wanneer de transistor "volledig-on" wordt omgeschakeld. Dit gebeurt echter alleen wanneer een kleine vooringenomen stroom (IB) tegelijkertijd in de basisterminal van de transistor stroomt, waardoor de basis kan fungeren als een soort huidige controle -ingang.
De stroom in een bipolaire NPN -transistor is de verhouding van deze twee stromen (IC/IB), de DC -stroomversterking van het apparaat genoemd en krijgt het symbool van HFE of tegenwoordig beta, ().
De waarde van kan groot zijn tot 200 voor standaard transistoren, en het is deze grote verhouding tussen IC en IB die de bipolaire NPN -transistor een nuttig versterkende apparaat maakt bij gebruik in zijn actieve regio, aangezien IB de input biedt en IC biedt de uitvoer. Merk op dat bèta geen eenheden heeft omdat het een verhouding is.
Ook wordt de huidige versterking van de transistor van de collectoraansluiting naar de emitterterminal, IC/IE, alfa, () genoemd, en is een functie van de transistor zelf (elektronen die over de kruising diffunderen).
Omdat de emitterstroom dwz de som is van een zeer kleine basisstroom plus een zeer grote collectorstroom, is de waarde van alfa () zeer dicht bij eenheid en voor een typische signaaltransistor van low-power varieert deze waarde van ongeveer 0,950 tot 0,999.
Werkprincipe van NPN -transistors 2SC2412
Het werkingsprincipe van een NPN -transistors 2SC2412 is gebaseerd op de controle van de stroomstroom tussen de emitter en verzamelgebieden door de basisstroom te variëren. De NPN -transistor heeft drie terminals: de emitter (e), de basis (b) en de collector (c). De emitter is gemaakt van N-type materiaal, de basis is gemaakt van P-type materiaal en de verzamelaar is gemaakt van N-type materiaal.
Wanneer een kleine positieve spanning wordt aangebracht op de basis-emitterverbinding, wordt de kruising naar voren gebaseerd, waardoor elektronen van de emitter naar de basis kunnen stromen. Omdat het basisgebied dun en licht gedoteerd is, recombineren slechts een kleine fractie van deze elektronen met gaten in de basis. Het merendeel van de elektronen blijft door de basis stromen en bereiken de collector, die omgekeerd is.
De omgekeerde voorgestelde knooppunt van de basiscollector creëert een elektrisch veld dat de elektronen van de basis afstoot en ze naar de collector aantrekt. Als gevolg hiervan stroomt een grote stroom van de verzamelaar naar de emitter, die wordt geregeld door de kleinere basisstroom. De verhouding van de collectorstroom tot de basisstroom staat bekend als de huidige versterking () van de transistor.
Transistoren met NPN -diodes (NPN) worden in verschillende variëteit gebruikt:
· Hoogfrequente toepassingen maken hiervan gebruik.
· Schakeltoepassingen zijn waar NPN -transistoren meestal worden gebruikt.
· Deze component wordt gebruikt bij het versterken van circuits.
· Om zwakke signalen te versterken, wordt het gebruikt in Darlington Pair -circuits.
· NPN -transistoren worden gebruikt in toepassingen waar een huidige gootsteen vereist is.
· Sommige klassieke versterkingscircuits, zoals 'push-pull' versterkercircuits, maken gebruik van deze component.
· Bij bijvoorbeeld temperatuursensoren bijvoorbeeld.
· Toepassingen met extreem hoge frequentie.
· In logaritmische converters wordt deze variabele gebruikt.
· Omdat signaalversterking wordt uitgevoerd met NPN -transistoren. Bij het versterken van circuits wordt het op deze manier gebruikt.
· Logaritmische converters zijn een ander gebied waar het wordt gebruikt.
· Het schakelkenmerk van de NPN -transistor is een van de belangrijkste voordelen. Als gevolg hiervan wordt het vaak gebruikt bij het schakelen van toepassingen.
Constructie van NPN -transistors 2SC2412
De NPN -transistor is geconstrueerd met twee diodes die zodanig zijn verbonden dat hun ruggen met elkaar verbonden worden. Deze diodes zijn zodanig verbonden dat de drie terminals worden gevormd bekend als collectorbasis en emitter. Twee knooppunten worden gevormd in IT-één is emitter-base en de andere is collectorbasis.
De NPN-transistor wordt gemaakt wanneer 3 lagen worden gecombineerd, namelijk twee n-type halfgeleiders en één P-type halfgeleider in het midden. Twee diodes zijn met elkaar verbonden, wat resulteert in vier gedoteerde gebieden omdat elk van de diodes 2 gedoteerde gebieden heeft. De basis die is gemaakt, zal geen uniforme doping hebben.
Daarom is een NPN -transistor altijd gebouwd in drie lagen, waarvan de basis licht gedoteerd is, de emitter zwaar gedoteerd is en de verzamelaar matig is gedoteerd. De basis van het P-type halfgeleider is opgezet in het midden, tussen de emitter en de verzamelaar van de N-type halfgeleider.
De transistor werkt op verschillende modi of regio's hangt af van het voorspellen van knooppunten. Het heeft drie werkingsmodi.
Cut-off modus
In de CUR-OFF-modus zijn beide knooppunten in omgekeerde bias. In deze modus gedraagt de transistor zich als een open circuit. En het zal niet toestaan dat de stroom door het apparaat stroomt.
Verzadigingsmodus
In de verzadigingsmodus van een transistor zijn beide knooppunten verbonden in voorwaartse bias. De transistor gedraagt zich als een dicht circuit en stroom van collector naar emitter wanneer de basis-emitterspanning hoog is.
Actieve modus
In deze modus van een transistor is de basis-emitterverbinding voorwaartse bias en is collector-base junction omgekeerd vooringenomen. In deze modus werkt de transistor als een huidige versterker.
De stroomstromen tussen emitter en collector en de hoeveelheid stroom zijn evenredig met de basisstroom.
NPN -transistors 2SC2412: Hoe weet u of een transistor NPN of PNP is?
Pijl -oriëntatie op schematisch symbool
De schematische symbolen voor NPN- en PNP -transistoren zijn vergelijkbaar, maar de oriëntatie van de pijl op de emitter geeft het transistortype aan. In een NPN -transistorsymbool wijst de pijl naar buiten van de basis, terwijl in een PNP -transistorsymbool de pijl naar de basis wijst.
Polariteitstest
Met behulp van een multimeter in de diode -testmodus kunt u de polariteit van de transistorverbindingen bepalen. Voor een NPN-transistor zal de basis-emitterverbinding een voorwaartse vertekening (lage weerstand) vertonen wanneer de positieve sonde is verbonden met de basis en de negatieve sonde met de emitter. De basis-collectorverbinding vertoont een omgekeerde bias (hoge weerstand). Voor een PNP-transistor zal de basis-emitterverbinding daarentegen een voorwaartse vertekening vertonen wanneer de negatieve sonde is verbonden met de basis en de positieve sonde op de emitter, terwijl de basis-collectorverbinding een omgekeerde bias vertoont.
Collector-base afbraakspanning
NPN-transistoren 2SC2412 hebben typisch een hogere collector-base afbraakspanning in vergelijking met hun emitter-base breakdown-spanning, terwijl PNP-transistoren een hogere afbraak van de emitter-base hebben in vergelijking met hun collector-base breakdown-spanning. Het meten van deze afbraakspanningen kan helpen bij het identificeren van het transistortype.
Onze fabriek
TRR Electronics Co., Ltd is een staatskapitaal Hold Controling Interest Enterprise die onderzoek, ontwikkelen, ontwikkelen en verkopen van halfgeleider discrete componenten en producten als belangrijkste bedrijfsactiviteiten. Wij zijn dochteronderneming van A-Shares geciteerd bedrijf 600059 en in 2000 gevonden, Toxpand Oversea Market Business, gevestigde dochteronderneming Guangdong Trr Electronics Co., Ltd.
TRR -aandelen hebben veelzijdige gebieden kerntechnologieën in wafer, pakket, apparaattest en applicatie -ontwerp, enz. We wijden ons in onderzoek, productie, verkoop- en applicatieschema ontwerp in nieuwe type componenten, al verkregen meer dan 80 nationale geautoriseerde invent -octrooien, omvatten de algemene MB10F -brug in de stroomvoorzieningsindustrie, LED -industrie gebruikte UMB10F / B7 Bridge, de Globe High Junction -temperatuurproducten.
Ons certificaat
Ultieme FAQ -gids voor NPN -transistors 2SC2412
Populaire tags: NPN -transistors 2SC2412, China, leveranciers, fabrikanten, fabriek, distributeurs, citaat, inventaris, shenzhen, OEM, op voorraad
Aanvraag sturen
Misschien vind je dit ook leuk
