
Beschrijving
Transistor S8550 gegevensblad:
FUNCTIES
Gratis voor S8050
Collectorstroom: IC=0.5A
MAXIMALE BEOORDELINGEN (Ta=25 graad tenzij anders vermeld)

Parameter
Symbool Testomstandigheden Min Max Eenheid
Doorslagspanning van de collectorbasis
V(BR)CBO
IC=-100μA, IE=0
-40 V
Doorslagspanning collector-emitter
V(BR)CEO IC =-1mA, IB=0 -25 V
Emitter-basis doorslagspanning
V(BR)EBO
IE= -100μA, IC=0
-5 V
Collector-afsluitstroom
ICBO VCB= -40V, IE=0 -0.1
μA
Collector-afsluitstroom
ICEO VCE= -20V, IB=0 -0.1
μA
Emitter-afsluitstroom
IEBO VEB= -3V, IC=0 -0.1
μA
hFE(1) VCE= -1V, IC= -50mA 120 400
DC-stroomversterking
hFE(2) VCE= -1V, IC= -500mA 50
Verzadigingsspanning collector-emitter
VCE(verzadiging) IC=-500mA, IB= -50mA -0.6 V
Basis-emitter verzadigingsspanning
VBE(zat)
IC=-500mA, IB= -50mA -1.2 V
Overgangsfrequentie
vT
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
150 MHz
ELEKTRISCHE EIGENSCHAPPEN (Ta=25 )

Transistor S8550, ook bekend als PNP Bipolar Junction Transistor, is een populair elektronisch onderdeel dat in verschillende toepassingen wordt gebruikt. Deze transistor kan collectorstromen tot 700 mA en collector-emitterspanningen tot 20 volt aan, waardoor hij geschikt is voor veel toepassingen met een laag vermogen.
Een van de belangrijkste kenmerken van de S8550-transistor is de complementariteit met de UTC S8050-transistor, een NPN Bipolar Junction Transistor. Deze eigenschap maakt het een ideale keuze voor toepassingen die vermogensversterking of eenvoudige schakelcircuits vereisen.
Een andere belangrijke eigenschap van de S8550-transistor is dat deze halogeenvrij is, wat milieuvriendelijk is en wordt beschouwd als een belangrijk voordeel in de moderne elektronische productie. Het gebruik van halogeenvrije materialen in elektronische componenten wordt snel een standaardpraktijk in de industrie.
Enkele veelvoorkomende toepassingen van de S8550-transistor zijn audioversterkers, microfoonvoorversterkers en spanningsregelaars. Daarnaast wordt het ook gebruikt in low-power schakelcircuits zoals LED-drivers, motorcontrollers en relais.
Bij het gebruik van S8550 transistoren is het essentieel om rekening te houden met een aantal operationele parameters. Bijvoorbeeld, de maximale versterking van deze transistor is ongeveer 630, en de maximale vermogensdissipatie is 625 milliwatt. Een andere cruciale factor om te overwegen is de basis-emitterspanning, die doorgaans varieert tussen 0,6 volt en 0,7 volt.
S8550 transistor is een veelzijdig en betrouwbaar onderdeel, geschikt voor een breed scala aan toepassingen met een laag vermogen. De complementariteit met de UTC S8050, hoge collectorstroom en emitter-collectorspanning maken het een ideale keuze voor verschillende vermogensversterkings- en schakelcircuits. Het feit dat het halogeenvrij is, maakt het ook een milieuvriendelijke keuze.
FRQ
V: Biedt u een monster aan? Is het gratis?
A: Als het monster een lage waarde heeft, zullen we 20-30 stuks leveren om te testen.
V: Waar bevindt uw fabriek zich?
A: In de provincie Zhejiang
Populaire tags: SILICON Transistor S8550, China, leveranciers, fabrikanten, fabriek, distributeurs, offerte, inventaris, Shenzhen, OEM, op voorraad
Aanvraag sturen
Misschien vind je dit ook leuk







